三星從2015年起以3D NAND技術在市場上拔得頭籌，幾乎維持市場獨大的局面，但2018年之後這種情形可能改觀。因為SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)等其他競爭者在2017年底前規劃的生產投資規模遠超過三星。2016年底三星的3D NAND Flash產能以晶圓投片量計算，每月約12萬片，三星計劃在2017年持續擴大產能至30萬片。而競爭者的投資規模加總後，產能上看28萬片。
分析師表示，2017年全球3D NAND產量將比2016年增加164%，唯有高容量固態硬盤(SSD)的需求持續增加，才能消化這些增加的供給量。如果其他廠商的投資進度照計劃進行，2017年底時，三星的市占率可能會低於50%。2015年三星市占率為100%，2016年為66%。
因此三星必須提高技術競爭力，才能與其他廠商維持差異性，達到有效防禦。目前三星主要量產48層與64層3D NAND Flash，2018年完成96層產品研發後，應會盡快進行量產。美光、西部數據(Western Digital)、東芝目標在2017年開始量產64層3D NAND Flash，SK海力士則決定在2017年下半搶先量產72層產品。因此三星在量產96層3D NAND Flash之前，除瞭主打64層技術之外，與競爭者的技術差距變得不再顯著。3D NAND Flash的堆疊層數愈高，產品性能與生產效率愈佳。三星在近期的說明會上雖然曾表示，公司正在進行96層技術研發，但未提及明確的量產時程目標。
分析師表示，這段期間三星能利用3D NAND Flash取得驚人獲利與市場地位，主要是因為技術領先對手1年以上，未來三星如果要維持相同水準，勢必得更積極進行研發，進行更大規模投資，才能擺脫競爭者的追擊。
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三星可能會將它召回翻新後的Galaxy Note 7改名為Galaxy Note FE，然後再重新出售。
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第1季整體NAND Flash市況延續去年第4季的缺貨情況，即使第1季為傳統NAND Flash銷售淡季，但通路顆粒合約價卻仍上揚約20～25％，使得第1季6大品牌廠營收合計約119.078億美元，僅較去年第4季微幅減少0.4％。
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三星在 2017 Q1 銷售額超過英特爾，成為 24 年來首次做到這一境外公司申請點的公司，也對全球半導體行業產生震動。
數字內容、電視芯片，以及顯示器制造等廠商將有更大的成長空間。 HDMI協會於2017年臺北國際計算機展（Computex）中，發表HDMI 2.1新規格；HDMI執行長暨協會總裁Rob Tobias表示，此一規格可支持的數字內容，從4K一舉躍上10K。
全球半導體廠商對3D NAND Flash的投資絲毫不手軟，三星電子(Samsung Electronics)欲維持相同的市場主導權變得不是那麼容易。
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